Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3
;
SI1021R-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI1021R-T1-GE3 при покупке от 1 шт 122.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1021R-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 190mA SC75A

  • Основные параметры:
    • Напряжение ведущей цепи (VDS) - 60В
    • Предел тока ведущей цепи (ID) - 190mA
    • Тип - P-канальный MOSFET
    • Объемный обозначение - SC75A
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый динамический трение (RDSON)
    • Минимальное количество разрядных потерь
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Контроль тока в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для различных устройств
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI1021R-T1-GE3

Техническая документация

SI1021R-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 720 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    122 ₽
  • 100
    61 ₽
  • 3000
    42.4 ₽
  • 9000
    40 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI1021R-T1-GE3 при покупке от 1 шт 122.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1021R-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 190mA SC75A

  • Основные параметры:
    • Напряжение ведущей цепи (VDS) - 60В
    • Предел тока ведущей цепи (ID) - 190mA
    • Тип - P-канальный MOSFET
    • Объемный обозначение - SC75A
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый динамический трение (RDSON)
    • Минимальное количество разрядных потерь
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Контроль тока в инверторах и преобразователях
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для различных устройств
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI1021R-T1-GE3

Техническая документация

SI1021R-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории