SI1902CDL-T1-BE3

SI1902CDL-T1-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET:

• Тип: MOSFET (MOS-FET)
• Количество каналов (N-Channel): 1
• Рабочее напряжение (V_DS): 20В
• Максимальный ток (I_D): 1.1А
• Объемный корпус: SC-70-6

Основные параметры:

• V_GS(th): Максимум 4В (максимальное напряжение вольтметра)
• R_DS(on): Минимум 5.0Ω (при V_GS = 10В)
• Термический коэффициент R_DS(on): +2% /°C

Плюсы:

• Низкое напряжение вольтметра (V_GS(th)) обеспечивает быстрый включение.
• Малый ток сопротивления при включенном состоянии (R_DS(on)) снижает потери энергии.
• Устойчивость к тепловым нагрузкам благодаря низкому термическому коэффициенту.
• Компактный объемный корпус SC-70-6 позволяет использовать его в компактных устройствах.

Минусы:

• Максимальный ток (I_D) составляет всего 1.1А, что может ограничивать применение в высокотоковых устройствах.
• Максимальное рабочее напряжение (V_DS) 20В может быть недостаточно для некоторых высоковольтных приложений.

Общее назначение:

• Управление токами в различных электронных устройствах.
• Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных.
• Эффективное управление мощностью в системах управления.

Применяется в:

• Микросхемах и цифровых устройствах.
• Мощных инверторах и преобразователях.
• Системах управления двигателями.
• Блоках питания и регуляторах напряжения.