Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SI1902DL-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1902DL-T1-BE3

SI1902DL-T1-BE3

SI1902DL-T1-BE3
;
SI1902DL-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay
  • Артикул:
    SI1902DL-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6Все характеристики

Минимальная цена SI1902DL-T1-BE3 при покупке от 1 шт 132.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1902DL-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1902DL-T1-BE3

SI1902DL-T1-BE3 Vishay — это MOSFET с характеристиками 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6.

  • Основные параметры:
    • VGS(th): 2 V (максимальное напряжение вдоль канала)
    • ID(on): 0.66 A (ток при нахождении MOSFET в режиме включения)
    • VDS(max): 20 V (максимальное напряжение между дреном и источниковым полем)
    • PD(max): 1 W (максимальная мощность, которую может выдерживать MOSFET)
    • Тип корпуса: SC-70-6
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SC-70-6), что позволяет использовать его в компактных устройствах.
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому VGS(th).
    • Надежность и стабильность работы при различных условиях.
  • Минусы:
    • Небольшой ток включения (0.66 A), что ограничивает его использование в высокотоковых цепях.
    • Малая мощность (1 W), что также ограничивает применение в больших системах.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и управление током в электронных устройствах.
    • Переключение цифровых сигналов.
    • Использование в источниках питания для управления нагрузкой.
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты).
    • Компьютеры и ноутбуки.
    • Источники питания для различных устройств.
    • Автомобильные системы.
Выбрано: Показать

Характеристики SI1902DL-T1-BE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    660mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    270mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Base Product Number
    SI1902

Техническая документация

 SI1902DL-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 35780 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    132 ₽
  • 100
    53 ₽
  • 1000
    41 ₽
  • 6000
    31.7 ₽
  • 24000
    27.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay
  • Артикул:
    SI1902DL-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6Все характеристики

Минимальная цена SI1902DL-T1-BE3 при покупке от 1 шт 132.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1902DL-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1902DL-T1-BE3

SI1902DL-T1-BE3 Vishay — это MOSFET с характеристиками 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6.

  • Основные параметры:
    • VGS(th): 2 V (максимальное напряжение вдоль канала)
    • ID(on): 0.66 A (ток при нахождении MOSFET в режиме включения)
    • VDS(max): 20 V (максимальное напряжение между дреном и источниковым полем)
    • PD(max): 1 W (максимальная мощность, которую может выдерживать MOSFET)
    • Тип корпуса: SC-70-6
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SC-70-6), что позволяет использовать его в компактных устройствах.
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому VGS(th).
    • Надежность и стабильность работы при различных условиях.
  • Минусы:
    • Небольшой ток включения (0.66 A), что ограничивает его использование в высокотоковых цепях.
    • Малая мощность (1 W), что также ограничивает применение в больших системах.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и управление током в электронных устройствах.
    • Переключение цифровых сигналов.
    • Использование в источниках питания для управления нагрузкой.
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты).
    • Компьютеры и ноутбуки.
    • Источники питания для различных устройств.
    • Автомобильные системы.
Выбрано: Показать

Характеристики SI1902DL-T1-BE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    660mA (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    385mOhm @ 660mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.2nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    270mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Base Product Number
    SI1902

Техническая документация

 SI1902DL-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFD5C680NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
    289Кешбэк 43 балла
    EFC3J018NUZTDGТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
    295Кешбэк 44 балла
    NVMFD5C470NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    319Кешбэк 47 баллов
    NTTFD4D0N04HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
    346Кешбэк 51 балл
    NVMFD5C466NT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    348Кешбэк 52 балла
    NVMFD6H846NLWFT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    350Кешбэк 52 балла
    NTMFD6H846NLT1GТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
    356Кешбэк 53 балла
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    376Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    378Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    382Кешбэк 57 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    408Кешбэк 61 балл
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    409Кешбэк 61 балл
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    419Кешбэк 62 балла
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    422Кешбэк 63 балла
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    430Кешбэк 64 балла
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    459Кешбэк 68 баллов
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    508Кешбэк 76 баллов
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    528Кешбэк 79 баллов
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    547Кешбэк 82 балла
    NVMFD6H840NLT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    550Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C462NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD6H840NLWFT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C466NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    560Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C672NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    569Кешбэк 85 баллов
    NVMFD5C672NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    571Кешбэк 85 баллов
    NVMFD5C668NLT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    585Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C462NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    595Кешбэк 89 баллов
    2SJ653POWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    650Кешбэк 97 баллов
    NVMFD5C668NLWFT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    698Кешбэк 104 балла
    NVMFD5C462NWFT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП