Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SI1922EDH-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI1922EDH-T1-BE3

SI1922EDH-T1-BE3

SI1922EDH-T1-BE3
;
SI1922EDH-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI1922EDH-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1922EDH-T1-BE3 при покупке от 1 шт 121.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1922EDH-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1922EDH-T1-BE3

SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 20В
    • Номинальная токовая характеристика (ID): 1.3А
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Количество каналов: 2N-CH (двухканальный)
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость за счет компактного пакета SOT-363
    • Низкий сопротивление при прохождении тока (RD(on))
    • Высокий коэффициент передачи (Kon)
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Требуют точной подстройки для достижения оптимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления токами
    • Управление магнитными элементами и индуктивными нагрузками
    • Изменение частоты и амплитуды сигналов
    • Защита электронных систем от перегрузок и скачков напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем и климат-контролем
    • Системы питания и преобразования напряжений
    • Игровые консоли и персональные компьютеры
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Электронные усилители и схемы регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI1922EDH-T1-BE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    198mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 8V
  • Рассеивание мощности
    740mW (Ta), 1.25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Base Product Number
    SI1922

Техническая документация

 SI1922EDH-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8313 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    121 ₽
  • 100
    48 ₽
  • 1000
    33 ₽
  • 6000
    21.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI1922EDH-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363Все характеристики

Минимальная цена SI1922EDH-T1-BE3 при покупке от 1 шт 121.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1922EDH-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI1922EDH-T1-BE3

SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 20В
    • Номинальная токовая характеристика (ID): 1.3А
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Количество каналов: 2N-CH (двухканальный)
    • Пакет: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость за счет компактного пакета SOT-363
    • Низкий сопротивление при прохождении тока (RD(on))
    • Высокий коэффициент передачи (Kon)
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Требуют точной подстройки для достижения оптимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления токами
    • Управление магнитными элементами и индуктивными нагрузками
    • Изменение частоты и амплитуды сигналов
    • Защита электронных систем от перегрузок и скачков напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем и климат-контролем
    • Системы питания и преобразования напряжений
    • Игровые консоли и персональные компьютеры
    • Инверторы и преобразователи энергии
    • Электронные усилители и схемы регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI1922EDH-T1-BE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    198mOhm @ 1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5nC @ 8V
  • Рассеивание мощности
    740mW (Ta), 1.25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-70-6
  • Base Product Number
    SI1922

Техническая документация

 SI1922EDH-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ262EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    349Кешбэк 52 балла
    SIZF906BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
    508Кешбэк 76 баллов
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    206Кешбэк 30 баллов
    SIZ988DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    335Кешбэк 50 баллов
    SQJQ906E-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
    623Кешбэк 93 балла
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    307Кешбэк 46 баллов
    SIA938DJT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    171Кешбэк 25 баллов
    SIS903DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    278Кешбэк 41 балл
    SIZ260DT-T1-GE3MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
    322Кешбэк 48 баллов
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    289Кешбэк 43 балла
    SQJ914EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    340Кешбэк 51 балл
    SI6954ADQ-T1-BE3Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SW
    316Кешбэк 47 баллов
    SQJB40EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    318Кешбэк 47 баллов
    SQ3989EV-T1_BE3Транзистор: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
    158Кешбэк 23 балла
    SQJ560EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
    348Кешбэк 52 балла
    SI6926ADQ-T1-BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFE
    329Кешбэк 49 баллов
    SI1900DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
    164Кешбэк 24 балла
    SQJ940EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
    368Кешбэк 55 баллов
    SIZ270DT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    360Кешбэк 54 балла
    SI1922EDH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    121Кешбэк 18 баллов
    SQ4937EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
    338Кешбэк 50 баллов
    SQJ504EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ204EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
    373Кешбэк 55 баллов
    SIA928DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
    79Кешбэк 11 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    257Кешбэк 38 баллов
    SIZ980DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    399Кешбэк 59 баллов
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    222Кешбэк 33 балла
    SI7252ADP-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    436Кешбэк 65 баллов
    SI5948DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    SQS966ENW-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN 60V
    188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП