SI2302CDS-T1-BE3

Размеры и производитель:

• Маркировка: SI2302CDS-T1-BE3

• Производитель: Vishay Siliconix

Основные параметры:

• Тип: N-канальный MOSFET

• Напряжение дrain-source (V_DS): 20 В

• Потребляемая мощность (P_D): 5.6 Вт

• Резистивность (R_DS(on)): 1.7 Ω

• Потребляемая емкость (C_iss): 290 pF

Плюсы:

• Высокое напряжение дrain-source (20 В)

• Низкая резистивность (R_DS(on)) обеспечивает эффективное управление током

• Малая потребляемая емкость (C_iss) уменьшает затраты энергии при переходах

• Устойчивость к шумам и помехам

Минусы:

• Высокий тепловой тормоз может ограничить максимальную мощность

• Необходимо дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева

Общее назначение:

• Использование в схемах регулирования напряжения

• Применение в инверторах и преобразователях

• Работа в системах управления двигателей

• В составе электронных устройств для управления токами

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы управления двигателем

• Системы питания и преобразования энергии

• Мобильные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности

• Электронные устройства для управления электроприборами