SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3 — это ненаправленный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением ввода, выпущенный компанией Vishay Siliconix. Это полупроводниковый элемент, используемый для управления электрическим током.

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение на коллекторе (V_DS): 30В
• Максимальная токовая плотность (I_D): 2.6А
• Форм-фактор: SOT23-3

• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и легкий вес
• Низкое энергопотребление
• Малые размеры и простота установки

• Минусы:
• Небольшой токовый потенциал
• Необходимо учесть термические нагрузки при работе

Общее назначение: MOSFET SI2304BDS-T1-GE3 используется для управления током в различных приложениях, таких как источники питания, преобразователи напряжения, драйверы для ламп и светодиодов, а также в системах управления мощностью.

Применяется в: