Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SI2307BDS-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI2307BDS-T1-BE3

SI2307BDS-T1-BE3

SI2307BDS-T1-BE3
;
SI2307BDS-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI2307BDS-T1-BE3
  • Описание:
    P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI2307BDS-T1-BE3 при покупке от 1 шт 215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2307BDS-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2307BDS-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка SI2307BDS-T1-BE3:
      • Производитель: Vishay / Siliconix
      • Тип: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    • Основные параметры:
      • Vds (Max): 30 В
      • Id (Max): 2.8 А
      • Rds(on) (Max): 0.054 Ω (at Vgs = -10 V)
      • Thermal Resistance (Junction to Case): 50°C/°C
    • Плюсы:
      • Высокая проводимость при отрицательном напряжении на гейте
      • Низкое значение Rds(on)
      • Высокая надежность
      • Доступность и доступная цена
    • Минусы:
      • Только для работы с отрицательным напряжением на гейте
      • Небольшая максимальная токовая способность
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых схемах
      • Регулирование напряжения
      • Изоляция высоковольтных цепей
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Инверторы и преобразователи
      • Системы питания
      • Коммунальное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI2307BDS-T1-BE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    380 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 SI2307BDS-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 22856 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    215 ₽
  • 10
    133 ₽
  • 500
    67 ₽
  • 3000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    SI2307BDS-T1-BE3
  • Описание:
    P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SI2307BDS-T1-BE3 при покупке от 1 шт 215.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2307BDS-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2307BDS-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка SI2307BDS-T1-BE3:
      • Производитель: Vishay / Siliconix
      • Тип: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    • Основные параметры:
      • Vds (Max): 30 В
      • Id (Max): 2.8 А
      • Rds(on) (Max): 0.054 Ω (at Vgs = -10 V)
      • Thermal Resistance (Junction to Case): 50°C/°C
    • Плюсы:
      • Высокая проводимость при отрицательном напряжении на гейте
      • Низкое значение Rds(on)
      • Высокая надежность
      • Доступность и доступная цена
    • Минусы:
      • Только для работы с отрицательным напряжением на гейте
      • Небольшая максимальная токовая способность
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых схемах
      • Регулирование напряжения
      • Изоляция высоковольтных цепей
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Инверторы и преобразователи
      • Системы питания
      • Коммунальное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI2307BDS-T1-BE3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    78mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    380 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 SI2307BDS-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTP082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    1 171Кешбэк 175 баллов
    NVMFS5C468NWFT1GMOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
    272Кешбэк 40 баллов
    NVD3055-094T4G-VF01MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    235Кешбэк 35 баллов
    FDD86369-F085MOSFET N-CH 80V 90A DPAK
    356Кешбэк 53 балла
    NTD360N80S3ZMOSFET N-CH 800V 13A DPAK
    523Кешбэк 78 баллов
    FDMS8050MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
    1 026Кешбэк 153 балла
    NVB150N65S3FMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
    798Кешбэк 119 баллов
    MTP1N50EN-CHANNEL POWER MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    NTMFS4C024NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
    106Кешбэк 15 баллов
    FDD13AN06A0-F085MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
    217Кешбэк 32 балла
    NVMFS5C410NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
    843Кешбэк 126 баллов
    NTMFS6H818NLT1GMOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
    396Кешбэк 59 баллов
    NTD5C632NLT4GT6 60V LL DPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NVD5490NLT4G-VF01MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK
    50Кешбэк 7 баллов
    NTH4L022N120M3SSIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
    2 899Кешбэк 434 балла
    NVBG060N090SC1MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
    3 351Кешбэк 502 балла
    NTBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    1 265Кешбэк 189 баллов
    NTMFSC010N08M7MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
    319Кешбэк 47 баллов
    NVD5C434NT4GMOSFET N-CHANNEL 40V 163A DPAK
    550Кешбэк 82 балла
    NVMFS5C677NLT1GMOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
    256Кешбэк 38 баллов
    NVHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
    2 553Кешбэк 382 балла
    NTMTS0D6N04CLTXGMOSFET N-CH 40V 554.5A
    767Кешбэк 115 баллов
    NTD250N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    593Кешбэк 88 баллов
    2N7000-D75ZMOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    93Кешбэк 13 баллов
    FDPF7N50U-GMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    170Кешбэк 25 баллов
    NVTFS004N04CTAGMOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
    374Кешбэк 56 баллов
    NTMTS4D3N15MCSINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
    1 365Кешбэк 204 балла
    NVB082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
    986Кешбэк 147 баллов
    NVD5C478NLT4GMOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    NVD5C486NT4GMOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП