Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3
;
SI2312BDS-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI2312BDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2312BDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3 — это MOSFET (Монолитный Окислительный Изоляционно-Передающий Элемент) с носителем N-канала, производимый компанией Vishay Siliconix. Он предназначен для широкого применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение стакана: 20В
    • Номинальная токовая способность: 3.9А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость установки благодаря компактному пакету SOT23-3
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень дисперсии
  • Минусы:
    • Низкая максимальная токовая способность по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление током в электрических цепях
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
    • Уменьшение потерь энергии в электронных системах
  • Применение:
    • Системы управления электропитанием
    • Цифровые и аналоговые электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI2312BDS-T1-GE3

Техническая документация

SI2312BDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 6492 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    159 ₽
  • 100
    64 ₽
  • 1000
    44 ₽
  • 6000
    35 ₽
  • 15000
    32 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI2312BDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2312BDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3 — это MOSFET (Монолитный Окислительный Изоляционно-Передающий Элемент) с носителем N-канала, производимый компанией Vishay Siliconix. Он предназначен для широкого применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение стакана: 20В
    • Номинальная токовая способность: 3.9А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость установки благодаря компактному пакету SOT23-3
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень дисперсии
  • Минусы:
    • Низкая максимальная токовая способность по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление током в электрических цепях
    • Изоляция сигналов в цифровых устройствах
    • Уменьшение потерь энергии в электронных системах
  • Применение:
    • Системы управления электропитанием
    • Цифровые и аналоговые электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI2312BDS-T1-GE3

Техническая документация

SI2312BDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории