Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI2315BDS-T1-E3
  • В избранное
  • В сравнение
SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3
;
SI2315BDS-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI2315BDS-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2315BDS-T1-E3 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2315BDS-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 VISHAY — MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (P-канальный)
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Максимальный ток: 3А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в открытом состоянии
    • Низкое сопротивление в канале
    • Малый размер и легкость для интеграции в мелкогабаритные устройства
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Не подходит для применения в режимах работы с высокими частотами из-за большого Rds(on)
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащего охлаждения при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Уменьшение потерь энергии в электрических цепях
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Системах питания
    • Электронных устройствах с ограниченным пространством
    • Промышленных контролируемых источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI2315BDS-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 3.85A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2315

Техническая документация

 SI2315BDS-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 14 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    99 ₽
  • 25
    65 ₽
  • 250
    56 ₽
  • 1000
    46 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI2315BDS-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2315BDS-T1-E3 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2315BDS-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3 VISHAY — MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (P-канальный)
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Максимальный ток: 3А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в открытом состоянии
    • Низкое сопротивление в канале
    • Малый размер и легкость для интеграции в мелкогабаритные устройства
    • Высокая надежность и стабильность
  • Минусы:
    • Не подходит для применения в режимах работы с высокими частотами из-за большого Rds(on)
    • Требует дополнительного проектирования для обеспечения надлежащего охлаждения при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Уменьшение потерь энергии в электрических цепях
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Системах питания
    • Электронных устройствах с ограниченным пространством
    • Промышленных контролируемых источниках питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI2315BDS-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 3.85A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2315

Техническая документация

 SI2315BDS-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN2320UFB4-7BMOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
    89Кешбэк 13 баллов
    DMG2302UQ-13MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
    124Кешбэк 18 баллов
    DMG2301L-13MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    DMP10H4D2S-7MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
    74Кешбэк 11 баллов
    DMN2065UW-7MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
    76Кешбэк 11 баллов
    DMG4800LK3-13MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
    126Кешбэк 18 баллов
    BSS138Q-7-FMOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    DMN3900UFA-7BMOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
    52Кешбэк 7 баллов
    DMN2028UFDF-7MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    130Кешбэк 19 баллов
    DMG2302UK-7MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN10H220L-13MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2300U-7MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    ZXMN3A02X8TA
    272Кешбэк 40 баллов
    DMN24H3D5L-7MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
    156Кешбэк 23 балла
    DMN63D8LW-7MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    DMT6004LPS-13MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
    287Кешбэк 43 балла
    DMN2005K-7MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    DMP22D4UFA-7BMOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN3016LSS-13MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
    119Кешбэк 17 баллов
    ZXMP10A18KTCMOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
    296Кешбэк 44 балла
    ZXMN10A07FTAMOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
    104Кешбэк 15 баллов
    ZXMN4A06GTAMOSFET N-CH 40V 5A SOT223
    204Кешбэк 30 баллов
    DMG3418L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN3300U-7MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
    106Кешбэк 15 баллов
    DMG3401LSN-7MOSFET P-CH 30V 3A SC59
    76Кешбэк 11 баллов
    DMP1022UFDF-7MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
    137Кешбэк 20 баллов
    DMN601TK-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
    48Кешбэк 7 баллов
    DMG3415UFY4Q-7MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
    117Кешбэк 17 баллов
    DMP2066LSN-7MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
    132Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП