Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI2369BDS-T1-GE3

SI2369BDS-T1-GE3

SI2369BDS-T1-GE3
;
SI2369BDS-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI2369BDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2369BDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2369BDS-T1-GE3

SI2369BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Размеры: SOT23
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Максимальный ток при Vgs=4.5В: 5.6А
    • Максимальный ток при Vgs=10В: 7.5А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление нагрузкой
    • Компактный размер
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по теплу для обеспечения стабильной работы
    • Зависимость максимального тока от напряжения на гейте (Vgs)
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания и преобразователях
    • Управление электрическими нагрузками
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления светом
Выбрано: Показать

Характеристики SI2369BDS-T1-GE3

Техническая документация

SI2369BDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 337116 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    119 ₽
  • 100
    47 ₽
  • 1000
    32 ₽
  • 6000
    25 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI2369BDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2369BDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2369BDS-T1-GE3

SI2369BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Размеры: SOT23
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Максимальный ток при Vgs=4.5В: 5.6А
    • Максимальный ток при Vgs=10В: 7.5А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление нагрузкой
    • Компактный размер
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по теплу для обеспечения стабильной работы
    • Зависимость максимального тока от напряжения на гейте (Vgs)
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания и преобразователях
    • Управление электрическими нагрузками
    • Применение в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления светом
Выбрано: Показать

Характеристики SI2369BDS-T1-GE3

Техническая документация

SI2369BDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории