Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SI3099-TP
  • В избранное
  • В сравнение
SI3099-TP

SI3099-TP

SI3099-TP
;
SI3099-TP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    SI3099-TP
  • Описание:
    N-CHANNEL MOSFET,SOT-23Все характеристики

Минимальная цена SI3099-TP при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3099-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3099-TP

Размеры и описание:

  • Маркировка: SI3099-TP
  • Производитель: Micro Commercial Co
  • Тип: N-CHANNEL MOSFET
  • Форм-фактор: SOT-23

Основные параметры:

  • Vds (максимальное напряжение между дреном и источниковым полем): 60 В
  • Ids (максимальный ток дрен-источник): 1.5 А
  • Rds(on) (сопротивление на проводимость при номинальном токе): 40 мО
  • Vgs(th) (напряжение на пороге): 2.5 В

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что обеспечивает быструю реакцию на сигналы.
  • Низкое сопротивление на проводимость Rds(on), что снижает потери энергии.
  • Малый размер, что позволяет эффективно использовать пространство на печатной плате.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму, что может привести к ошибкам управления.
  • Нет устойчивости к обратному напряжению, требует использования диодов для защиты.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах для управления токами.
  • Подходит для применения в системах питания, преобразователях мощности, инверторах и других приборах.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи мощности
  • Инверторы
  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI3099-TP

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.1A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    408mOhm @ 500nA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.72 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    61 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 SI3099-TP.pdf
pdf. 0 kb
  • 3572 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39 ₽
  • 100
    14.7 ₽
  • 1000
    9.5 ₽
  • 6000
    7 ₽
  • 15000
    6.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    SI3099-TP
  • Описание:
    N-CHANNEL MOSFET,SOT-23Все характеристики

Минимальная цена SI3099-TP при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3099-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3099-TP

Размеры и описание:

  • Маркировка: SI3099-TP
  • Производитель: Micro Commercial Co
  • Тип: N-CHANNEL MOSFET
  • Форм-фактор: SOT-23

Основные параметры:

  • Vds (максимальное напряжение между дреном и источниковым полем): 60 В
  • Ids (максимальный ток дрен-источник): 1.5 А
  • Rds(on) (сопротивление на проводимость при номинальном токе): 40 мО
  • Vgs(th) (напряжение на пороге): 2.5 В

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что обеспечивает быструю реакцию на сигналы.
  • Низкое сопротивление на проводимость Rds(on), что снижает потери энергии.
  • Малый размер, что позволяет эффективно использовать пространство на печатной плате.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму, что может привести к ошибкам управления.
  • Нет устойчивости к обратному напряжению, требует использования диодов для защиты.

Общее назначение:

  • Используется в различных электронных устройствах для управления токами.
  • Подходит для применения в системах питания, преобразователях мощности, инверторах и других приборах.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи мощности
  • Инверторы
  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI3099-TP

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.1A
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    408mOhm @ 500nA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.72 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    61 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    830mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 SI3099-TP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS5C628NT1GMOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
    311Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NVMFS6H852NT1GMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NVMFS5C673NLWFAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
    317Кешбэк 47 баллов
    NVMYS2D9N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
    317Кешбэк 47 баллов
    NVMJS1D7N04CTWGMOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS003N04CTAGMOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NTMFSC010N08M7MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C454NLTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C673NLWFTAGMOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS5C658NLTAGMOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
    319Кешбэк 47 баллов
    NVTFS6H854NTAGMOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
    321Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5C466NT1GMOSFET N-CH 40V 15A/49A 5DFN
    321Кешбэк 48 баллов
    FDD86380-F085MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    NVTFS5C466NLWFTAGMOSFET N-CHANNEL 40V 51A 8WDFN
    322Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H836NT3GT8 80V SO8FL
    324Кешбэк 48 баллов
    NVMJS1D5N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NTD5C632NLT4GT6 60V LL DPAK
    324Кешбэк 48 баллов
    NVTFS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    324Кешбэк 48 баллов
    NTMYS2D4N04CTWGMOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
    325Кешбэк 48 баллов
    NTMFS5C430NLAT1GNFET SO8FL 40V 200A 1.5MOH
    326Кешбэк 48 баллов
    MTV32N20EN-CHANNEL POWER MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5H663NLWFT1GMOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVTFWS008N04CTAGMOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H852NWFT1GMOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVTFS5C460NLWFTAGMOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS5C456NLWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 87A 5DFN
    326Кешбэк 48 баллов
    NVMFS6H824NLT1GMOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
    328Кешбэк 49 баллов
    NTMFS0D8N03CT1GMOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
    328Кешбэк 49 баллов
    NTTFS8D1N08HTAGMOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
    330Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП