Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI3415-TP
  • В избранное
  • В сравнение
SI3415-TP

SI3415-TP

SI3415-TP
;
SI3415-TP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    SI3415-TP
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23Все характеристики

Минимальная цена SI3415-TP при покупке от 1 шт 88.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3415-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3415-TP

SI3415-TP Micro Commercial Co MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 20В
    • Номинальный ток дrain-source: 4А
    • Пакет: SOT-23
  • Плюсы:
    • Компактность благодаря SOT-23 пакету
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый тепловой сопротивление
  • Минусы:
    • Максимальная мощность ограничена из-за малого пакета
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Драйверы для индуктивных загрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Системы питания
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI3415-TP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1450 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI3415

Техническая документация

 SI3415-TP.pdf
pdf. 0 kb
  • 1618 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    88 ₽
  • 100
    40 ₽
  • 1000
    27 ₽
  • 6000
    18.8 ₽
  • 15000
    17.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Micro Commercial Co
  • Артикул:
    SI3415-TP
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23Все характеристики

Минимальная цена SI3415-TP при покупке от 1 шт 88.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3415-TP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3415-TP

SI3415-TP Micro Commercial Co MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 20В
    • Номинальный ток дrain-source: 4А
    • Пакет: SOT-23
  • Плюсы:
    • Компактность благодаря SOT-23 пакету
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый тепловой сопротивление
  • Минусы:
    • Максимальная мощность ограничена из-за малого пакета
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Драйверы для индуктивных загрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Системы питания
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI3415-TP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1450 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI3415

Техническая документация

 SI3415-TP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD17308Q3TТранзистор: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
    295Кешбэк 44 балла
    CSD17577Q3ATMOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
    280Кешбэк 42 балла
    CSD19534KCSMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    357Кешбэк 53 балла
    CSD22204WTMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD19501KCSMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    466Кешбэк 69 баллов
    CSD18502KCSMOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
    566Кешбэк 84 балла
    CSD19531KCSMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    472Кешбэк 70 баллов
    CSD19536KTTTMOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
    1 230Кешбэк 184 балла
    TPS1100DТранзистор: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
    273Кешбэк 40 баллов
    CSD18537NQ5ATMOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
    153Кешбэк 22 балла
    CSD18532Q5BMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    531Кешбэк 79 баллов
    CSD18542KCSMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
    433Кешбэк 64 балла
    CSD16340Q3MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
    309Кешбэк 46 баллов
    CSD19536KCSMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
    985Кешбэк 147 баллов
    SI2302-TPMOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
    63Кешбэк 9 баллов
    SI2301-TPMOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
    63Кешбэк 9 баллов
    2N7002W-TPMOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
    53Кешбэк 7 баллов
    SI3415-TPMOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
    88Кешбэк 13 баллов
    2N7002-GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    2N7002-HFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    SSM3J338R,LFMOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
    68Кешбэк 10 баллов
    SSM3J334R,LFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
    55Кешбэк 8 баллов
    SSM3K56ACT,L3FMOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
    22Кешбэк 3 балла
    SSM6K781G,LFMOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
    92Кешбэк 13 баллов
    SSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
    44Кешбэк 6 баллов
    SSM3K318R,LFMOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
    96Кешбэк 14 баллов
    SSM3J15FV,L3FMOSFET P-CH 30V 100MA VESM
    26Кешбэк 3 балла
    SSM3K72CFS,LFMOSFET N-CH 60V 170MA SSM
    29.5Кешбэк 4 балла
    TPHR8504PL,L1QMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    429Кешбэк 64 балла
    TPN7R506NH,L1QMOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
    181Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП