Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI3473DDV-T1-GE3 при покупке от 1 шт 97 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3473DDV-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI3473DDV-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    57 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1975 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    SI3473
Техническая документация
SI3473DDV-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7509 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    97 ₽
  • 100
    30 ₽
  • 1000
    26.4 ₽
  • 6000
    22 ₽
  • 15000
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена SI3473DDV-T1-GE3 при покупке от 1 шт 97 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3473DDV-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI3473DDV-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    57 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1975 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    SI3473
Техническая документация
SI3473DDV-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb