Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3
;
SI3900DV-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI3900DV-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOPВсе характеристики

Минимальная цена SI3900DV-T1-GE3 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3900DV-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 2V
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 2A
    • Номинальное напряжение на выходе (VDS): 20V
    • Количество пинов: 6
    • Тип пакета: TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Умеренный ток проводимости
    • Низкое напряжение вдоль канала
    • Малый размер и компактная конструкция
  • Минусы:
    • Низкий ток проводимости по сравнению с более современными моделями
    • Меньше подходит для высокоточных приложений из-за большего разброса характеристик
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления электропитанием
    • Маломощных преобразователях напряжения
    • Различных цифровых и аналоговых электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SI3900DV-T1-GE3

Техническая документация

SI3900DV-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 60117 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    276 ₽
  • 10
    175 ₽
  • 500
    91 ₽
  • 3000
    73 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI3900DV-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOPВсе характеристики

Минимальная цена SI3900DV-T1-GE3 при покупке от 1 шт 276.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3900DV-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 2V
    • Номинальный ток проводимости (ID(on)): 2A
    • Номинальное напряжение на выходе (VDS): 20V
    • Количество пинов: 6
    • Тип пакета: TSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Умеренный ток проводимости
    • Низкое напряжение вдоль канала
    • Малый размер и компактная конструкция
  • Минусы:
    • Низкий ток проводимости по сравнению с более современными моделями
    • Меньше подходит для высокоточных приложений из-за большего разброса характеристик
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления электропитанием
    • Маломощных преобразователях напряжения
    • Различных цифровых и аналоговых электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики SI3900DV-T1-GE3

Техническая документация

SI3900DV-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории