Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3
;
SI4178DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4178DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4178DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дrain-source (VDS) – 30В
    • Ток при насыщении (ID(on)) – 12А
    • Количество выводов (SO) – 8
    • Тип – N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкий ток утечки при отключении
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Уязвим к электрическим шумам без правильной защиты
    • Не подходит для работы с высокими частотами без использования активных фильтров
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Привод управления электроприводами
    • Регулировка напряжения в схемах
    • Переключение высоких токов в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4178DY-T1-GE3

Техническая документация

SI4178DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 6102 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    54 ₽
  • 2500
    40 ₽
  • 7500
    38 ₽
  • 25000
    37.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4178DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4178DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дrain-source (VDS) – 30В
    • Ток при насыщении (ID(on)) – 12А
    • Количество выводов (SO) – 8
    • Тип – N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкий ток утечки при отключении
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Уязвим к электрическим шумам без правильной защиты
    • Не подходит для работы с высокими частотами без использования активных фильтров
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Привод управления электроприводами
    • Регулировка напряжения в схемах
    • Переключение высоких токов в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI4178DY-T1-GE3

Техническая документация

SI4178DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории