Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4190ADY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4190ADY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4190ADY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1970 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4190
Техническая документация
SI4190ADY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3429 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    300 ₽
  • 10
    255 ₽
  • 100
    215 ₽
  • 500
    172 ₽
  • 2500
    144 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена SI4190ADY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4190ADY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4190ADY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1970 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4190
Техническая документация
SI4190ADY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb