Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3
;
SI4423DY-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4423DY-T1-E3 при покупке от 35 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4423DY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4423DY-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 14A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 600µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4423

Техническая документация

SI4423DY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 35 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4423DY-T1-E3 при покупке от 35 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4423DY-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4423DY-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5mOhm @ 14A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 600µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    175 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4423

Техническая документация

SI4423DY-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 35 шт