Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4425FDY-T1-GE3

SI4425FDY-T1-GE3

SI4425FDY-T1-GE3
;
SI4425FDY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4425FDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 196.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4425FDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4425FDY-T1-GE3

SI4425FDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Напряжение падения (VDS) - 30В
    • Размер тока (ID) - 12.7/18.3А
    • Количество выводов - 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Доступное напряжение падения
    • Малый размер
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Некоторые устройства могут потребовать специальных меры для предотвращения обратного напряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания и преобразователях
    • Применение в системах управления мощностью
    • Интеграция в устройства с высокой нагрузкой
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Мобильные устройства
    • Системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI4425FDY-T1-GE3

Техническая документация

SI4425FDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 64541 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    196 ₽
  • 10
    125 ₽
  • 500
    64 ₽
  • 2500
    51 ₽
  • 10000
    42 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4425FDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 196.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4425FDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4425FDY-T1-GE3

SI4425FDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Напряжение падения (VDS) - 30В
    • Размер тока (ID) - 12.7/18.3А
    • Количество выводов - 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Доступное напряжение падения
    • Малый размер
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Некоторые устройства могут потребовать специальных меры для предотвращения обратного напряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания и преобразователях
    • Применение в системах управления мощностью
    • Интеграция в устройства с высокой нагрузкой
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Мобильные устройства
    • Системы энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI4425FDY-T1-GE3

Техническая документация

SI4425FDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории