Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3
;
SI4435FDY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4435FDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4435FDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): от 2 до 4 В
    • Рейтингный ток (ID(on)): 12.6 А
    • Рейтингное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Количество пинов: 8
    • Пакет: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности благодаря низкому внутреннему сопротивлению
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Низкое напряжение срабатывания для уменьшения энергопотерь
    • Малый размер пакета для экономии места на плате
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с шумом и электромагнитной совместимостью при работе на больших частотах
  • Общее назначение:
    • Драйверы для высоковольтных приложений
    • Изоляционные преобразователи сигнала
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Коммуникационное оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI4435FDY-T1-GE3

Техническая документация

SI4435FDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 56891 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    94 ₽
  • 100
    44.4 ₽
  • 1000
    30 ₽
  • 5000
    23.5 ₽
  • 12500
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4435FDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4435FDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): от 2 до 4 В
    • Рейтингный ток (ID(on)): 12.6 А
    • Рейтингное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Количество пинов: 8
    • Пакет: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности благодаря низкому внутреннему сопротивлению
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Низкое напряжение срабатывания для уменьшения энергопотерь
    • Малый размер пакета для экономии места на плате
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с шумом и электромагнитной совместимостью при работе на больших частотах
  • Общее назначение:
    • Драйверы для высоковольтных приложений
    • Изоляционные преобразователи сигнала
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Коммуникационное оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SI4435FDY-T1-GE3

Техническая документация

SI4435FDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории