Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3
;
SI4459BDY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI4459BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4459BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с нейтронной полярностью (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 30В
  • Максимальная токовая способность: 20.5А (в режиме импульсного тока) / 27.8А (в режиме непрерывного тока)
  • Количество выводов: 8
  • Форм-фактор: SO-8

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Устойчивость к перегреву
  • Хорошая надежность
  • Удобство монтажа благодаря стандартному форм-фактору

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
  • Требуют дополнительного охлаждения при работе в режиме непрерывного тока

Общее назначение:

  • Регулировка и управление токами в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов
  • Изоляция сигналов

Данный MOSFET широко применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Энергосберегающих системах
  • Стабилизаторах напряжения
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI4459BDY-T1-GE3

Техническая документация

SI4459BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 68466 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    317 ₽
  • 10
    202 ₽
  • 100
    135 ₽
  • 1000
    97 ₽
  • 5000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI4459BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4459BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с нейтронной полярностью (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 30В
  • Максимальная токовая способность: 20.5А (в режиме импульсного тока) / 27.8А (в режиме непрерывного тока)
  • Количество выводов: 8
  • Форм-фактор: SO-8

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Устойчивость к перегреву
  • Хорошая надежность
  • Удобство монтажа благодаря стандартному форм-фактору

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
  • Требуют дополнительного охлаждения при работе в режиме непрерывного тока

Общее назначение:

  • Регулировка и управление токами в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов
  • Изоляция сигналов

Данный MOSFET широко применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Энергосберегающих системах
  • Стабилизаторах напряжения
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SI4459BDY-T1-GE3

Техническая документация

SI4459BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории