Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI4485DY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3
;
SI4485DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4485DY-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 6A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4485DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4485DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3 — это MOSFET (MOS-FET) с каналом типа N с низким напряжением ввода, выпущенный компанией Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Напряжение ввода (VGS(th)): 2.7 V
  • Номинальное напряжение между полюсами (VDS): 30 В
  • Номинальный ток нагрузки (ID(on)): 6 А
  • Количество выводов (SO): 8

Плюсы:

  • Низкое напряжение ввода, что позволяет использовать его в широком диапазоне источников питания
  • Высокая плотность мощности благодаря низкому сопротивлению канала
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Малый размер и легкий вес

Минусы:

  • Только для использования в цепях с каналом типа N
  • Низкая токовая способность по сравнению с MOSFET с каналом типа P

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Блокировка или проводимость электрических сигналов

Применяется в:

  • Питательных системах
  • Автомобильной электронике
  • Мобильных устройствах
  • Инверторах
  • Стабилизаторах напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI4485DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 5.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    590 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4485

Техническая документация

 SI4485DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3226 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    184 ₽
  • 10
    115 ₽
  • 500
    58 ₽
  • 2500
    46 ₽
  • 10000
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI4485DY-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 6A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4485DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 184.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4485DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3 — это MOSFET (MOS-FET) с каналом типа N с низким напряжением ввода, выпущенный компанией Vishay Semiconductors. Основные параметры:

  • Напряжение ввода (VGS(th)): 2.7 V
  • Номинальное напряжение между полюсами (VDS): 30 В
  • Номинальный ток нагрузки (ID(on)): 6 А
  • Количество выводов (SO): 8

Плюсы:

  • Низкое напряжение ввода, что позволяет использовать его в широком диапазоне источников питания
  • Высокая плотность мощности благодаря низкому сопротивлению канала
  • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
  • Малый размер и легкий вес

Минусы:

  • Только для использования в цепях с каналом типа N
  • Низкая токовая способность по сравнению с MOSFET с каналом типа P

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Блокировка или проводимость электрических сигналов

Применяется в:

  • Питательных системах
  • Автомобильной электронике
  • Мобильных устройствах
  • Инверторах
  • Стабилизаторах напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI4485DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 5.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    590 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4485

Техническая документация

 SI4485DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR420APBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    IRFU210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
    197Кешбэк 29 баллов
    SIR172ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
    138Кешбэк 20 баллов
    SI4128DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 10.9A 8SO
    121Кешбэк 18 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    232Кешбэк 34 балла
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    248Кешбэк 37 баллов
    SI3473CDV-T1-E3MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
    200Кешбэк 30 баллов
    SI1467DH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
    191Кешбэк 28 баллов
    SI8472DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
    121Кешбэк 18 баллов
    IRFD320PBFMOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
    471Кешбэк 70 баллов
    SI7636DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
    232Кешбэк 34 балла
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    SI7634BDP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    521Кешбэк 78 баллов
    SIRA02DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
    348Кешбэк 52 балла
    SISA10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
    243Кешбэк 36 баллов
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    903Кешбэк 135 баллов
    SI7686DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    412Кешбэк 61 балл
    SI8812DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
    123Кешбэк 18 баллов
    SI7456DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
    646Кешбэк 96 баллов
    SI7430DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
    727Кешбэк 109 баллов
    IRFR9014TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    234Кешбэк 35 баллов
    IRFR014TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    250Кешбэк 37 баллов
    SIB422EDK-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    140Кешбэк 21 балл
    SI3430DV-T1-E3MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    329Кешбэк 49 баллов
    SIR698DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
    340Кешбэк 51 балл
    SI4485DY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    184Кешбэк 27 баллов
    SIE818DF-T1-E3MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
    909Кешбэк 136 баллов
    SI4464DY-T1-E3MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
    406Кешбэк 60 баллов
    IRF620SPBFMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
    511Кешбэк 76 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП