Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SI4842BDY-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4842BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 519.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4842BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI4842BDY-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
3W (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-SOIC
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4842

Техническая документация

SI4842BDY-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

1518 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
519 ₽
10
389 ₽
100
270 ₽
500
229 ₽
2500
198 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SI4842BDY-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4842BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 519.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4842BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI4842BDY-T1-GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3650 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
3W (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-SOIC
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4842

Техническая документация

SI4842BDY-T1-GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IXFK48N50 MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA

5 226Кешбэк 783 балла

PSMN018-80YS,115 MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56

256Кешбэк 38 баллов

RJK5030DPP-M0#T2 MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL

523Кешбэк 78 баллов

FCD2250N80Z MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK

248Кешбэк 37 баллов

STB21N65M5 MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK

930Кешбэк 139 баллов

IRFH7936TRPBF IRFH7936 - N-CHANNEL

99Кешбэк 14 баллов

IRFI634GPBF MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

572Кешбэк 85 баллов

BUK7K45-100EX Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D

321Кешбэк 48 баллов

IRF9630SPBF Транзистор: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

531Кешбэк 79 баллов

STD35P6LLF6 MOSFET P-CH 60V 35A DPAK

271Кешбэк 40 баллов

IRLIZ14GPBF MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3

403Кешбэк 60 баллов

DMN10H220LE-13 MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

116Кешбэк 17 баллов

PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

54Кешбэк 8 баллов

508Кешбэк 76 баллов

FDS8870 MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

325Кешбэк 48 баллов

STL50NH3LL MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT

118Кешбэк 17 баллов

FQD13N06LTM Транзистор: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

152Кешбэк 22 балла

SI8802DB-T2-E1 MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

119Кешбэк 17 баллов

DMTH4007SPSQ-13 MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060

340Кешбэк 51 балл

IRFU024PBF Транзистор: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA

267Кешбэк 40 баллов

IXTH10P60 MOSFET P-CH 600V 10A TO247

2 490Кешбэк 373 балла

DMN6040SK3-13 MOSFET N CH 60V 20A TO252

101Кешбэк 15 баллов

SI7135DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

359Кешбэк 53 балла

IRLR3114ZTRPBF MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

224Кешбэк 33 балла

CPC3708ZTR Транзистор: MOSFET N-CH 350V 5MA SOT223

269Кешбэк 40 баллов

FQD16N15TM MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK

131Кешбэк 19 баллов

IXFH24N80P MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD

2 443Кешбэк 366 баллов

HUF75344A3 MOSFET N-CH 55V 75A TO3P

316Кешбэк 47 баллов

DMG2302UQ-13 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

125Кешбэк 18 баллов

DMP2008UFG-7 MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333

58Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Высокочастотные диоды

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды выпрямительные - Модули

Принадлежности

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Симисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Модули драйверов питания

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диодные мосты - Модули

Диоды - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - выпрямители - одиночные

IGBT транзисторы

Драйверы питания - Модули

Диодные мосты

Высокочастотные биполярные транзисторы

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диоды выпрямительные - Сборки

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды силовые

Биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - программируемые однопереходные

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы - JFET

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Диоды - мостовые выпрямители

Триодные тиристоры - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Биполярные транзисторы - Сборки

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Симисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали