Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3
;
SI5441BDC-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI5441BDC-T1-E3 при покупке от 31 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5441BDC-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI5441BDC-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.3W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Base Product Number
    SI5441

Техническая документация

SI5441BDC-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 31 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI5441BDC-T1-E3 при покупке от 31 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5441BDC-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI5441BDC-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.3W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Base Product Number
    SI5441

Техническая документация

SI5441BDC-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 31 шт