Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3
;
SI5504BDC-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5504BDC-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5504BDC-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5504BDC-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS) - 30В
    • Ток при VGS = 0В (IDSS) - 4А
    • Объемный размер - 1206-8
    • Тип - N/P-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение вдоль канала до 30В
    • Высокий ток до 4А
    • Малый размер, что позволяет эффективно использовать пространство на печатной плате
    • Доступность в различных объемных размерах для разных применений
  • Минусы:
    • Высокие значения тока могут привести к увеличению тепловыделения, что требует дополнительного охлаждения
    • Требуется правильное управление напряжением вдоль канала для предотвращения повреждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов между различными цепями с разным уровнем напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы управления
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности и долговечности
    • Системы питания и преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI5504BDC-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A, 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    220pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    3.12W, 3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5504

Техническая документация

SI5504BDC-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5504BDC-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5504BDC-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5504BDC-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS) - 30В
    • Ток при VGS = 0В (IDSS) - 4А
    • Объемный размер - 1206-8
    • Тип - N/P-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение вдоль канала до 30В
    • Высокий ток до 4А
    • Малый размер, что позволяет эффективно использовать пространство на печатной плате
    • Доступность в различных объемных размерах для разных применений
  • Минусы:
    • Высокие значения тока могут привести к увеличению тепловыделения, что требует дополнительного охлаждения
    • Требуется правильное управление напряжением вдоль канала для предотвращения повреждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов между различными цепями с разным уровнем напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы управления
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности и долговечности
    • Системы питания и преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SI5504BDC-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A, 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    220pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    3.12W, 3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5504

Техническая документация

SI5504BDC-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории