Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3
;
SI5515CDC-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5515CDC-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5515CDC-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5515CDC-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): от -2 до -4 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 4 А
    • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером (VCE(max)): 20 В
    • Пакет: 1206-8
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности
    • Долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к переносу напряжения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для использования в условиях высокой влажности без соответствующей защиты
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача сигнала
    • Изоляция цепей
    • Свичинговые операции
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI5515CDC-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.3nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    632pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5515

Техническая документация

SI5515CDC-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5515CDC-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5515CDC-T1-E3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5515CDC-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): от -2 до -4 В
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 4 А
    • Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером (VCE(max)): 20 В
    • Пакет: 1206-8
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности
    • Долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к переносу напряжения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не рекомендуется для использования в условиях высокой влажности без соответствующей защиты
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача сигнала
    • Изоляция цепей
    • Свичинговые операции
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные системы
    • Компьютерное оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики SI5515CDC-T1-E3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.3nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    632pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5515

Техническая документация

SI5515CDC-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории