Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3

Loading...
;
Loading...

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5935CDC-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5935CDC-T1-GE3 при покупке от 1 шт 157 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5935CDC-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI5935CDC-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    455pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5935
Техническая документация
3589186.pdf
pdf. 0 kb
  • 8275 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    157 ₽
  • 100
    62 ₽
  • 1000
    43 ₽
  • 6000
    32.5 ₽
  • 15000
    31 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5935CDC-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5935CDC-T1-GE3 при покупке от 1 шт 157 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5935CDC-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI5935CDC-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    455pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5935
Техническая документация
3589186.pdf
pdf. 0 kb