Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI6466DQ

SI6466DQ

SI6466DQ
;
SI6466DQ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI6466DQ при покупке от 993 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6466DQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6466DQ

SI6466DQ Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • Vds(max): 650 В
    • ID(max): 12 А
    • Rds(on) typical: 3.5 мО
    • Ciss: 22 нФ
    • Thermal Resistance (junction to case): 1.8°C/W
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и ток пропускания
    • Низкое значение Rds(on)
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Привод мощных электрических устройств
    • Защита от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Измерительная техника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики SI6466DQ

  • 3040 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 993 шт
  • Количество
    Цена
  • 993
    56 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI6466DQ при покупке от 993 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6466DQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6466DQ

SI6466DQ Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • Vds(max): 650 В
    • ID(max): 12 А
    • Rds(on) typical: 3.5 мО
    • Ciss: 22 нФ
    • Thermal Resistance (junction to case): 1.8°C/W
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и ток пропускания
    • Низкое значение Rds(on)
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Привод мощных электрических устройств
    • Защита от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Измерительная техника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики SI6466DQ

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 993 шт