Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
SI6954ADQ-T1-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI6954ADQ-T1-BE3

SI6954ADQ-T1-BE3

SI6954ADQ-T1-BE3
;
SI6954ADQ-T1-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6954ADQ-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SWВсе характеристики

Минимальная цена SI6954ADQ-T1-BE3 при покупке от 1 шт 316.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6954ADQ-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6954ADQ-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор N-канального типа
      • Напряжение включения (G-S): 2.5 В
      • Применение: Система питания батареи
    • Плюсы:
      • Низкое напряжение включения обеспечивает эффективное управление нагрузкой при минимальных потоках тока управления.
      • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию высококачественных материалов и технологий производства.
      • Малый размер и легкий вес позволяют использовать его в компактных устройствах.
    • Минусы:
      • Возможны проблемы с перегревом при неправильном использовании или неадекватной нагрузке.
      • Необходимо соблюдать правила установки и монтажа для предотвращения повреждений.
    • Общее назначение:
      • Управление электрическими цепями при питании от батарей.
      • Снижение энергопотерь в системах питания.
      • Оптимизация работы устройств в условиях ограниченного напряжения питания.
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты).
      • Автомобильные системы.
      • Игровые консоли.
      • Электронные часы и другие носимые устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики SI6954ADQ-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.1A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    53mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    830mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP

Техническая документация

 SI6954ADQ-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 9000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    316 ₽
  • 10
    200 ₽
  • 100
    134 ₽
  • 1000
    97 ₽
  • 6000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6954ADQ-T1-BE3
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SWВсе характеристики

Минимальная цена SI6954ADQ-T1-BE3 при покупке от 1 шт 316.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6954ADQ-T1-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6954ADQ-T1-BE3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор N-канального типа
      • Напряжение включения (G-S): 2.5 В
      • Применение: Система питания батареи
    • Плюсы:
      • Низкое напряжение включения обеспечивает эффективное управление нагрузкой при минимальных потоках тока управления.
      • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию высококачественных материалов и технологий производства.
      • Малый размер и легкий вес позволяют использовать его в компактных устройствах.
    • Минусы:
      • Возможны проблемы с перегревом при неправильном использовании или неадекватной нагрузке.
      • Необходимо соблюдать правила установки и монтажа для предотвращения повреждений.
    • Общее назначение:
      • Управление электрическими цепями при питании от батарей.
      • Снижение энергопотерь в системах питания.
      • Оптимизация работы устройств в условиях ограниченного напряжения питания.
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты).
      • Автомобильные системы.
      • Игровые консоли.
      • Электронные часы и другие носимые устройства.
Выбрано: Показать

Характеристики SI6954ADQ-T1-BE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.1A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    53mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    830mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP

Техническая документация

 SI6954ADQ-T1-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ262EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    349Кешбэк 52 балла
    SIZF906BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
    508Кешбэк 76 баллов
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    206Кешбэк 30 баллов
    SIZ988DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    335Кешбэк 50 баллов
    SQJQ906E-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
    623Кешбэк 93 балла
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    307Кешбэк 46 баллов
    SIA938DJT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    171Кешбэк 25 баллов
    SIS903DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    278Кешбэк 41 балл
    SIZ260DT-T1-GE3MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
    322Кешбэк 48 баллов
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    289Кешбэк 43 балла
    SQJ914EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    340Кешбэк 51 балл
    SI6954ADQ-T1-BE3Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SW
    316Кешбэк 47 баллов
    SQJB40EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    318Кешбэк 47 баллов
    SQ3989EV-T1_BE3Транзистор: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
    158Кешбэк 23 балла
    SQJ560EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
    348Кешбэк 52 балла
    SI6926ADQ-T1-BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFE
    329Кешбэк 49 баллов
    SI1900DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
    164Кешбэк 24 балла
    SQJ940EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
    368Кешбэк 55 баллов
    SIZ270DT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    360Кешбэк 54 балла
    SI1922EDH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    121Кешбэк 18 баллов
    SQ4937EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
    338Кешбэк 50 баллов
    SQJ504EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ204EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
    373Кешбэк 55 баллов
    SIA928DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
    79Кешбэк 11 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    257Кешбэк 38 баллов
    SIZ980DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    399Кешбэк 59 баллов
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    222Кешбэк 33 балла
    SI7252ADP-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    436Кешбэк 65 баллов
    SI5948DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    SQS966ENW-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN 60V
    188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП