Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SI6954ADQ-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3
;
SI6954ADQ-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6954ADQ-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена SI6954ADQ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 258.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6954ADQ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Номинальное напряжение коллектора-;base: 30V
    • Номинальный ток дrain: 3.1A
    • Пакет: 8TSSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря производителю Vishay Siliconix
    • Низкое значение RDS(on), что обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках
    • Малый размер пакета 8TSSOP позволяет экономить место на печатной плате
    • Высокая скорость переключения, что улучшает динамические характеристики
  • Минусы:
    • Возможное ограничение по максимальному току при высоких температурах
    • Необходимость соблюдения правил проектирования для предотвращения тепловых проблем
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Переключение высоких и низких уровней напряжения
    • Ограничение тока в цепях
    • Использование в системах питания и преобразования напряжения
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Мобильные устройства
    • Энергосберегающие системы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SI6954ADQ-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    53mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    830mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP
  • Base Product Number
    SI6954

Техническая документация

 SI6954ADQ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2275 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    258 ₽
  • 10
    162 ₽
  • 100
    108 ₽
  • 500
    84 ₽
  • 1000
    77 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI6954ADQ-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена SI6954ADQ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 258.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6954ADQ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI6954ADQ-T1-GE3

SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Номинальное напряжение коллектора-;base: 30V
    • Номинальный ток дrain: 3.1A
    • Пакет: 8TSSOP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря производителю Vishay Siliconix
    • Низкое значение RDS(on), что обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках
    • Малый размер пакета 8TSSOP позволяет экономить место на печатной плате
    • Высокая скорость переключения, что улучшает динамические характеристики
  • Минусы:
    • Возможное ограничение по максимальному току при высоких температурах
    • Необходимость соблюдения правил проектирования для предотвращения тепловых проблем
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Переключение высоких и низких уровней напряжения
    • Ограничение тока в цепях
    • Использование в системах питания и преобразования напряжения
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Мобильные устройства
    • Энергосберегающие системы
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики SI6954ADQ-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    53mOhm @ 3.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Рассеивание мощности
    830mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP
  • Base Product Number
    SI6954

Техническая документация

 SI6954ADQ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD87351Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    369Кешбэк 55 баллов
    CSD86360Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
    408Кешбэк 61 балл
    CSD87355Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
    434Кешбэк 65 баллов
    CSD87350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    446Кешбэк 66 баллов
    CSD87353Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD87384MTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD86330Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
    539Кешбэк 80 баллов
    TPS1120DТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
    608Кешбэк 91 балл
    TPS1120DRТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
    634Кешбэк 95 баллов
    CSD86350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
    719Кешбэк 107 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    2N7002V-TPТранзистор
    80Кешбэк 12 баллов
    SSM6N7002KFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
    37Кешбэк 5 баллов
    SSM6N15AFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
    50Кешбэк 7 баллов
    SSM6N35FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
    65Кешбэк 9 баллов
    SSM6N56FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6N58NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    82Кешбэк 12 баллов
    SSM6L09FUTE85LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
    87Кешбэк 13 баллов
    SSM6N57NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    109Кешбэк 16 баллов
    SSM6P49NU,LFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
    122Кешбэк 18 баллов
    DMC2038LVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
    18.5Кешбэк 2 балла
    DMN53D0LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    DMN62D0UDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002VA-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002DWQ-7-FТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    DMC2700UDM-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT26
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN62D0UT-7MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
    39Кешбэк 5 баллов
    DMN63D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    39.6Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП