Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SI7104DN-T1-E3
Описание:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7104DN-T1-E3 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7104DN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI7104DN-T1-E3

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7104

Техническая документация

SI7104DN-T1-E3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

2805 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
454 ₽
10
338 ₽
100
243 ₽
500
201 ₽
1000
184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Semiconductors
Артикул:
SI7104DN-T1-E3
Описание:
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7104DN-T1-E3 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7104DN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SI7104DN-T1-E3

Package
Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 6 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® 1212-8
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7104

Техническая документация

SI7104DN-T1-E3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

VP2106N3-G MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3

120Кешбэк 18 баллов

IPL65R230C7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

561Кешбэк 84 балла

SIA416DJ-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK

76Кешбэк 11 баллов

IRFU9024PBF Транзистор: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA

178Кешбэк 26 баллов

SIR818DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

156Кешбэк 23 балла

BSC072N08NS5ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON

195Кешбэк 29 баллов

PSMN012-80PS,127 MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB

237Кешбэк 35 баллов

CSD17556Q5B MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON

491Кешбэк 73 балла

STB7NK80ZT4 MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK

580Кешбэк 87 баллов

AUIRFS8409 MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

519Кешбэк 77 баллов

STP3NK80Z MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB

321Кешбэк 48 баллов

IXTP460P2 MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB

1 104Кешбэк 165 баллов

CSD16407Q5 MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON

480Кешбэк 72 балла

IXFK88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA

2 882Кешбэк 432 балла

IRL3705NPBF MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB

323Кешбэк 48 баллов

FQP13N06 MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3

76Кешбэк 11 баллов

357Кешбэк 53 балла

FDMS7692 MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN

89Кешбэк 13 баллов

FDB088N08 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

236Кешбэк 35 баллов

SSM3K37CT,L3F MOSFET N-CH 20V 200MA CST3

34Кешбэк 5 баллов

CSD23203W MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

92Кешбэк 13 баллов

BSS138W MOSFET N-CH 50V 210MA SC70

62Кешбэк 9 баллов

TN2540N3-G Транзистор: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3

283Кешбэк 42 балла

NVTFS4C10NWFTAG MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN

268Кешбэк 40 баллов

STP18NM60ND MOSFET N-CH 600V 13A TO220

638Кешбэк 95 баллов

PSMN7R6-100BSEJ MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

862Кешбэк 129 баллов

AOD450 MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252

124Кешбэк 18 баллов

STB100N6F7 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

403Кешбэк 60 баллов

SUD50P08-25L-E3 MOSFET P-CH 80V 50A TO252

370Кешбэк 55 баллов

IRFS4410ZTRLPBF MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

524Кешбэк 78 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - IGBT - модули

Симисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Принадлежности

Симисторы - Модули

Диоды силовые

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Высокочастотные биполярные транзисторы

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды - выпрямители - массивы

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Варикапы и Варакторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - IGBT - одиночные

Биполярные транзисторы

Диодные мосты

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Высокочастотные диоды

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Тиристоры - SCR

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - Модули

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Модули драйверов питания

Тиристоры - SCR - модули

Тиристоры - TRIACs

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Полевые транзисторы - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Диодные мосты - Модули

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - JFET

Драйверы питания - Модули

Диоды - ВЧ

Диоды - мостовые выпрямители

Динисторы (DIAC, SIDAC)

IGBT транзисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали