Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3
;
SI7111EDN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI7111EDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7111EDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
    • Напряжение отключения: 30В
    • Размер токов: 60А (режим импульсного тока)
    • Форм-фактор: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкий коэффициент включения
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для управления
    • Могут возникать проблемы при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Передача мощности
    • Импульсное управление
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Питание электронных устройств
    • Беспроводные системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI7111EDN-T1-GE3

Техническая документация

SI7111EDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4517 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    180 ₽
  • 100
    76 ₽
  • 1000
    53 ₽
  • 6000
    42 ₽
  • 15000
    38 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI7111EDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7111EDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
    • Напряжение отключения: 30В
    • Размер токов: 60А (режим импульсного тока)
    • Форм-фактор: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкий коэффициент включения
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для управления
    • Могут возникать проблемы при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Передача мощности
    • Импульсное управление
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Питание электронных устройств
    • Беспроводные системы
Выбрано: Показать

Характеристики SI7111EDN-T1-GE3

Техническая документация

SI7111EDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории