Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI7111EDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 164 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7111EDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7111EDN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.55mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 2.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5860 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7111
Техническая документация
SI7111EDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7840 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    164 ₽
  • 100
    77 ₽
  • 1000
    54 ₽
  • 6000
    43 ₽
  • 15000
    39 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена SI7111EDN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 164 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7111EDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7111EDN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.55mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 2.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5860 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7111
Техническая документация
SI7111EDN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb