Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3
;
SI7212DN-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI7212DN-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7212DN-T1-E3 при покупке от 1 шт 478.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7212DN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 30В
    • Номинальная токовая способность ID: 4.9А
    • Объемный размер: 1212
    • Рабочая температура: от -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Surface Mount Technology (SMT)
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес для компактного дизайна устройств
    • Эффективное управление током при низком сопротивлении ввода
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Уязвимость к ударным напряжениям без защитного контура
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Использование в силовых цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах питания и регулирования напряжения
    • Портативных электронных устройствах
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SI7212DN-T1-E3

Техническая документация

SI7212DN-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 10122 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    478 ₽
  • 10
    300 ₽
  • 100
    204 ₽
  • 500
    169 ₽
  • 3000
    152 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SI7212DN-T1-E3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8Все характеристики

Минимальная цена SI7212DN-T1-E3 при покупке от 1 шт 478.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7212DN-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7212DN-T1-E3

SI7212DN-T1-E3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VGS(th): 30В
    • Номинальная токовая способность ID: 4.9А
    • Объемный размер: 1212
    • Рабочая температура: от -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии Surface Mount Technology (SMT)
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес для компактного дизайна устройств
    • Эффективное управление током при низком сопротивлении ввода
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Уязвимость к ударным напряжениям без защитного контура
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Использование в силовых цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах питания и регулирования напряжения
    • Портативных электронных устройствах
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SI7212DN-T1-E3

Техническая документация

SI7212DN-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории