SI7439DP-T1-GE3

SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150В 3А PPAK SO-8

• Основные параметры:
• Напряжение смещения (V_GS(th)): от 2 до 4 В
• Максимальное напряжение между стеклом и эмиттером (V_DS(max)): 150 В
• Максимальный ток нагрузки (I_D(max)): 3 А
• Тип: П-канальный MOSFET
• Пакет: PPAK SO-8
• Плюсы:
• Высокая надежность благодаря качественному производству от Vishay Siliconix
• Компактный размер пакета PPAK SO-8 для экономии места на печатной плате
• Высокий коэффициент передачи (V_GS(th)) обеспечивает эффективное управление током
• Высокая скорость переключения, что важно для высокочастотных приложений
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальными токами и напряжениями
• Наличие паразитного емкостного канала может вызывать помехи в некоторых схемах
• Общее назначение:
• Использование в источниках питания для управления током
• Применение в преобразователях напряжения для высокочастотных приложений
• Создание регуляторов напряжения для цифровых систем
• Изготовление светодиодных драйверов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Приборы измерений
• Системы управления двигателем
• Игровые приставки и другие цифровые устройства
• Светодиодные осветительные приборы