Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3
;
SI7456DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI7456DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 647.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7456DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS(on)): 100В
    • Предел тока (ID): 5.7А
    • Тип пакета: PPAK SO-8
    • Тип полярности: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение вдоль канала (100В)
    • Высокий предел тока (5.7А)
    • Малый размер и компактный пакет PPAK SO-8 для экономии места на печатной плате
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с более простыми MOSFET-девices
    • Требует точного подбора при выборе компонентов для работы с ним
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокого напряжения и тока
    • Применяется в системах управления двигателей, преобразователях напряжения, источниках питания
    • Подходит для применения в бытовой технике, транспортном оборудовании и промышленных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Источники питания
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника с потребностью в управлении высокими токами
Выбрано: Показать

Характеристики SI7456DP-T1-GE3

Техническая документация

SI7456DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3573 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    647 ₽
  • 10
    424 ₽
  • 100
    297 ₽
  • 500
    241 ₽
  • 1000
    228 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI7456DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 647.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7456DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS(on)): 100В
    • Предел тока (ID): 5.7А
    • Тип пакета: PPAK SO-8
    • Тип полярности: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение вдоль канала (100В)
    • Высокий предел тока (5.7А)
    • Малый размер и компактный пакет PPAK SO-8 для экономии места на печатной плате
    • Надежность и стабильность работы
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с более простыми MOSFET-девices
    • Требует точного подбора при выборе компонентов для работы с ним
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокого напряжения и тока
    • Применяется в системах управления двигателей, преобразователях напряжения, источниках питания
    • Подходит для применения в бытовой технике, транспортном оборудовании и промышленных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Источники питания
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника с потребностью в управлении высокими токами
Выбрано: Показать

Характеристики SI7456DP-T1-GE3

Техническая документация

SI7456DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории