Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3
;
SI7686DP-T1-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI7686DP-T1-E3 при покупке от 1 шт 413.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7686DP-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS): 30В
    • Ток проводимости (ID): 35А
    • Пакет: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Малый динамический трение
    • Стоимость доступная
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Температурная зависимость параметров
    • Необходимо учитывать тепловые проблемы при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования напряжения в различных электронных устройствах
    • Подходит для управления током в драйверах двигателей
    • Способствует эффективной передаче энергии в схемах преобразования напряжения
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
    • Промышленных системах управления
    • Электронных системах питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI7686DP-T1-E3

Техническая документация

SI7686DP-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • 3652 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    413 ₽
  • 10
    265 ₽
  • 100
    179 ₽
  • 1000
    136 ₽
  • 6000
    113 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI7686DP-T1-E3 при покупке от 1 шт 413.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7686DP-T1-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VDS): 30В
    • Ток проводимости (ID): 35А
    • Пакет: PPAK SO-8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Малый динамический трение
    • Стоимость доступная
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Температурная зависимость параметров
    • Необходимо учитывать тепловые проблемы при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования напряжения в различных электронных устройствах
    • Подходит для управления током в драйверах двигателей
    • Способствует эффективной передаче энергии в схемах преобразования напряжения
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
    • Промышленных системах управления
    • Электронных системах питания
Выбрано: Показать

Характеристики SI7686DP-T1-E3

Техническая документация

SI7686DP-T1-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории