Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1
;
SI8816EDB-T2-E1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI8816EDB-T2-E1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8816EDB-T2-E1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение на разделяющем слое (VGS(th)): 4,5 В
    • Номинальное напряжение на коллекторе (VDS): 30 В
    • Максимальная токовая плотность (ID(on)): 1 А
    • Объемный размер: 4MICROFOOT (0.4 x 0.4 мм)
  • Плюсы:
    • Малый размер
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий уровень тока утечки
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Малый токовый транспорт
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных схемах
    • Переключение и регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютерные периферийные устройства
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики SI8816EDB-T2-E1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    109mOhm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    4-Microfoot
  • Корпус
    4-XFBGA
  • Base Product Number
    SI8816

Техническая документация

SI8816EDB-T2-E1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI8816EDB-T2-E1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI8816EDB-T2-E1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение на разделяющем слое (VGS(th)): 4,5 В
    • Номинальное напряжение на коллекторе (VDS): 30 В
    • Максимальная токовая плотность (ID(on)): 1 А
    • Объемный размер: 4MICROFOOT (0.4 x 0.4 мм)
  • Плюсы:
    • Малый размер
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий уровень тока утечки
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Малый токовый транспорт
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электронных схемах
    • Переключение и регулирование напряжений
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютерные периферийные устройства
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики SI8816EDB-T2-E1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    109mOhm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    195 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    4-Microfoot
  • Корпус
    4-XFBGA
  • Base Product Number
    SI8816

Техническая документация

SI8816EDB-T2-E1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории