Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3
;
SIA416DJ-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIA416DJ-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SIA416DJ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA416DJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Тип канала: N-канальный (N-CH)
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Номинальный ток: 11.3А
    • Форм-фактор: PPAK (Пластиковый прямоугольный корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток утечки
    • Хорошая термостабильность
    • Малый размер и легкость интеграции в схему
    • Низкая емкость заряда и разряда
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для использования в высокочастотных режимах из-за эффекта гребневого канала
    • Требует дополнительного проектирования для предотвращения перегрева и повреждения
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Регулировка нагрузки
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Электропитание и регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIA416DJ-T1-GE3

Техническая документация

SIA416DJ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 38306 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    202 ₽
  • 10
    126 ₽
  • 500
    64 ₽
  • 3000
    53 ₽
  • 9000
    44 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIA416DJ-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAKВсе характеристики

Минимальная цена SIA416DJ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 202.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA416DJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Тип канала: N-канальный (N-CH)
    • Номинальное напряжение блокировки: 100В
    • Номинальный ток: 11.3А
    • Форм-фактор: PPAK (Пластиковый прямоугольный корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток утечки
    • Хорошая термостабильность
    • Малый размер и легкость интеграции в схему
    • Низкая емкость заряда и разряда
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для использования в высокочастотных режимах из-за эффекта гребневого канала
    • Требует дополнительного проектирования для предотвращения перегрева и повреждения
  • Общее назначение:
    • Управление токами в различных электронных устройствах
    • Регулировка нагрузки
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Электропитание и регуляторы напряжения
    • Измерительные приборы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики SIA416DJ-T1-GE3

Техническая документация

SIA416DJ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории