Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3
;
SIA430DJT-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIA430DJT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 132.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA430DJT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6 — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS) — 20В
    • Номинальный ток дrain (ID) — 12А
    • Форм-фактор — PPAK SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Низкое сопротивление резистора ввода (Ron)
    • Малая тепловая индуктивность
    • Компактная размерная конструкция (PPAK SC70-6)
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать тепловые нагрузки при работе с высокими токами
    • Требуется правильное проектирование системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение энергопотерь
    • Увеличение эффективности электронных устройств
  • Применение в устройствах:
    • Блоки питания
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства потребления энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIA430DJT-T1-GE3

Техническая документация

SIA430DJT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 8688 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    132 ₽
  • 100
    57 ₽
  • 1000
    42 ₽
  • 6000
    31 ₽
  • 24000
    28 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIA430DJT-T1-GE3 при покупке от 1 шт 132.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA430DJT-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6 — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS) — 20В
    • Номинальный ток дrain (ID) — 12А
    • Форм-фактор — PPAK SC70-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Низкое сопротивление резистора ввода (Ron)
    • Малая тепловая индуктивность
    • Компактная размерная конструкция (PPAK SC70-6)
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать тепловые нагрузки при работе с высокими токами
    • Требуется правильное проектирование системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение энергопотерь
    • Увеличение эффективности электронных устройств
  • Применение в устройствах:
    • Блоки питания
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства потребления энергии
Выбрано: Показать

Характеристики SIA430DJT-T1-GE3

Техническая документация

SIA430DJT-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории