SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки (V_DS(ON)): 20В
• Ток пропускаемый при номинальном напряжении блокировки (I_D): 4.5А
• Тип: MOSFET N/P-канальный
• Коллектор-эмиттерное сопротивление при V_GS = 0В (R_DS(on)): ≤25мО для N-канального, ≤25мО для P-канального
• Форм-фактор: SC70-6
• Плюсы:
• Высокая проводимость при минимальных потерях энергии
• Малый размер и легкость за счет компактного корпуса SC70-6
• Устойчивость к перегреву благодаря низкому сопротивлению
• Малое влияние на частотные характеристики
• Минусы:
• Необходимо наличие дополнительного охлаждения при высоких токах
• Могут возникать проблемы с шумами и помехами в высокочастотных приложениях без должной подстройки
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Переключение нагрузок
• Преобразование сигналов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Питание периферийного оборудования
• Инверторы питания
• Микросхемы управления двигателем
• Системы управления мощностью