Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIB441EDK-T1-GE3
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIB441EDK-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6Все характеристики

Минимальная цена SIB441EDK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB441EDK-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIB441EDK-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25.5mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1180 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-75-6
  • Корпус
    PowerPAK® SC-75-6
  • Base Product Number
    SIB441
Техническая документация
 SIB441EDK-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 9762 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    109 ₽
  • 100
    54 ₽
  • 1000
    37 ₽
  • 6000
    29 ₽
  • 15000
    26 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIB441EDK-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6Все характеристики

Минимальная цена SIB441EDK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB441EDK-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIB441EDK-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25.5mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1180 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-75-6
  • Корпус
    PowerPAK® SC-75-6
  • Base Product Number
    SIB441
Техническая документация
 SIB441EDK-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPN1600ANH,L1QMOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
    IRFS4228PBFMOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
    PMPB20XPE,115MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
    IRLR2905ZTRPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    STP20NM60FDMOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    FQP630MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
    NTLJS3113PTAGMOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
    FDMC0310ASMOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
    SI4166DY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
    IRF740ASTRLPBFMOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
    FDMS86263PMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
    IPA60R165CPMOSFET N-CH 600V 21A TO220
    FQPF46N15MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
    IXFR26N100PMOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
    IRFB3806PBFMOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
    FQP13N06LMOSFET N-CH 60V 13.6A TO220-3
    HUFA76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    AO4430MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
    BSZ180P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
    TK4A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
    IRFP264PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
    IXTH6N120MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
    PMN40UPE,115MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
    RUF025N02TLMOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
    SIHB15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
    FQU1N80TUMOSFET N-CH 800V 1A I-PAK
    IPI60R299CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
    RSU002N06T106MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3
    IRL3705NPBFMOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
    NTMS7N03R2MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП