Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3
;
SIB452DK-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIB452DK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 196.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB452DK-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного канала (VDS(on)): 190В
    • Ток прямого тока (ID): 1.5А
    • Тип пакета: PPAK SC75
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение включенного канала
    • Устойчивость к шумам
    • Малый динамический ток утечки
    • Минимальное сопротивление
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
    • Существует риск перегрева при неадекватном проектировании системы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение частоты
    • Коммутация тока
    • Уменьшение потерь энергии в электрических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Передатчиках
    • Питательных блоках
    • Электронных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики SIB452DK-T1-GE3

Техническая документация

SIB452DK-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7066 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    196 ₽
  • 10
    128 ₽
  • 500
    69 ₽
  • 3000
    51 ₽
  • 9000
    46 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIB452DK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 196.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB452DK-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного канала (VDS(on)): 190В
    • Ток прямого тока (ID): 1.5А
    • Тип пакета: PPAK SC75
    • Тип MOSFET: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение включенного канала
    • Устойчивость к шумам
    • Малый динамический ток утечки
    • Минимальное сопротивление
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
    • Существует риск перегрева при неадекватном проектировании системы
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изменение частоты
    • Коммутация тока
    • Уменьшение потерь энергии в электрических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Передатчиках
    • Питательных блоках
    • Электронных системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики SIB452DK-T1-GE3

Техническая документация

SIB452DK-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории