Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3
;
SIB912DK-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIB912DK-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6Все характеристики

Минимальная цена SIB912DK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB912DK-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 — это транзистор, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 4 В
    • Максимальное напряжение между полюсами (VDS(max)): 20 В
    • Максимальный ток прямого тока (ID(max)): 1.5 А
    • Пакет: SC-75-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Экономичное использование энергии
    • Удобство монтажа благодаря стандартному пакету
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами
    • Требует внимательного подхода при проектировании и использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Цифровые устройства
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIB912DK-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    216mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    95pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Base Product Number
    SIB912

Техническая документация

SIB912DK-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIB912DK-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6Все характеристики

Минимальная цена SIB912DK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB912DK-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 — это транзистор, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): ≤ 4 В
    • Максимальное напряжение между полюсами (VDS(max)): 20 В
    • Максимальный ток прямого тока (ID(max)): 1.5 А
    • Пакет: SC-75-6
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Экономичное использование энергии
    • Удобство монтажа благодаря стандартному пакету
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее качественными аналогами
    • Требует внимательного подхода при проектировании и использовании
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
    • Цифровые устройства
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SIB912DK-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    216mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    95pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Base Product Number
    SIB912

Техническая документация

SIB912DK-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории