Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SICRF5650

SICRF5650

SICRF5650
;
SICRF5650

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SICRF5650 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SICRF5650 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SICRF5650

SICRF5650 SMC Diode Solutions DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S — это тип силиконового карбидного Schottky-диода, разработанный для использования в высоковольтных приложениях.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 560 В
    • Рейтинг тока: 5 А
    • Коэффициент теплопроводности: высокий
    • Минимальный сопротивление при контакте: низкое
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент потерь
    • Высокая термическая устойчивость
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Необходимость специализированной технологии монтажа и проектирования
  • Общее назначение:
    • Применяются в высоковольтных системах управления энергетическими источниками
    • Используются в преобразователях питания
    • Включаются в инверторах и других устройствах, требующих высокой скорости включения/выключения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах питания
    • Преобразователях питания для бытовой техники
    • Системах управления энергетическими источниками
    • Трансформаторах и инверторах для солнечных панелей
Выбрано: Показать

Характеристики SICRF5650

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 5 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    60 µA @ 650 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Исполнение корпуса
    ITO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

SICRF5650.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SICRF5650 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SICRF5650 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SICRF5650

SICRF5650 SMC Diode Solutions DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S — это тип силиконового карбидного Schottky-диода, разработанный для использования в высоковольтных приложениях.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 560 В
    • Рейтинг тока: 5 А
    • Коэффициент теплопроводности: высокий
    • Минимальный сопротивление при контакте: низкое
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент потерь
    • Высокая термическая устойчивость
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Необходимость специализированной технологии монтажа и проектирования
  • Общее назначение:
    • Применяются в высоковольтных системах управления энергетическими источниками
    • Используются в преобразователях питания
    • Включаются в инверторах и других устройствах, требующих высокой скорости включения/выключения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах питания
    • Преобразователях питания для бытовой техники
    • Системах управления энергетическими источниками
    • Трансформаторах и инверторах для солнечных панелей
Выбрано: Показать

Характеристики SICRF5650

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 5 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    60 µA @ 650 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Исполнение корпуса
    ITO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C

Техническая документация

SICRF5650.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории