Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

SIDR140DP-T1-RE3

В избранное
В сравнение

SIDR140DP-T1-RE3

SIDR140DP-T1-RE3

SIDR140DP-T1-RE3

;

SIDR140DP-T1-RE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIDR140DP-T1-RE3
Описание:
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SIDR140DP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 630.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR140DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIDR140DP-T1-RE3

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
79A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8150 pF @ 10 V
Рассеивание мощности (Макс)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8DC
Корпус
PowerPAK® SO-8

Техническая документация

SIDR140DP-T1-RE3.pdf

pdf. 0 kb

2997 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
630 ₽
10
411 ₽
100
286 ₽
500
247 ₽
3000
201 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Siliconix
Артикул:
SIDR140DP-T1-RE3
Описание:
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена SIDR140DP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 630.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR140DP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SIDR140DP-T1-RE3

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
79A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8150 pF @ 10 V
Рассеивание мощности (Макс)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PowerPAK® SO-8DC
Корпус
PowerPAK® SO-8

Техническая документация

SIDR140DP-T1-RE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

STW24N60M6 MOSFET N-CH 600V TO247

754Кешбэк 113 баллов

NVMTS0D7N06CTXG MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

2 081Кешбэк 312 баллов

SUM90220E-GE3 MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

413Кешбэк 61 балл

AOTF190A60CL MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

595Кешбэк 89 баллов

IPB65R150CFDATMA2 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3

797Кешбэк 119 баллов

IRFF211 N-CHANNEL POWER MOSFET

315Кешбэк 47 баллов

IPB60R099P7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK

798Кешбэк 119 баллов

SPW15N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3

1 009Кешбэк 151 балл

SQD10N30-330H_GE3 MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

328Кешбэк 49 баллов

NTHL160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

1 104Кешбэк 165 баллов

SIHA21N80AEF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

272Кешбэк 40 баллов

G3R60MT07D 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET

1 879Кешбэк 281 балл

NTTFS024N06CTAG MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN

132Кешбэк 19 баллов

SPB11N60C3ATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3

872Кешбэк 130 баллов

DMTH8012LPSW-13 MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060

241Кешбэк 36 баллов

XP151A12A2MR-G MOSFET N-CH 20V 1A SOT23

143Кешбэк 21 балл

C3M0045065D GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

2 464Кешбэк 369 баллов

2SK2935-93-E N-CHANNEL POWER MOSFET

728Кешбэк 109 баллов

RQ5E070BNTCL MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3

111Кешбэк 16 баллов

FDBL86063-F085 MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF

1 451Кешбэк 217 баллов

UF3SC120016K3S Транзистор: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3

10 456Кешбэк 1 568 баллов

IPB70N10S312ATMA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

685Кешбэк 102 балла

2SJ135-AZ P-CHANNEL POWER MOSFET

452Кешбэк 67 баллов

SIHFR9310TRR-GE3 MOSFET P-CHANNEL 400V

222Кешбэк 33 балла

BSS84-TP Транзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23

37.5Кешбэк 5 баллов

IPP024N08NF2SAKMA1 TRENCH 40<-<100V

621Кешбэк 93 балла

IPB80N06S407ATMA2 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

333Кешбэк 49 баллов

TSM2301ACX RFG MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23

114Кешбэк 17 баллов

SQ2319ADS-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

204Кешбэк 30 баллов

NVBG160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

2 177Кешбэк 326 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Принадлежности

Симисторы - Модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Тиристоры - SCR

Диодные мосты

Транзисторы - IGBT - модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Модули драйверов питания

Диоды - ВЧ

Тиристоры - TRIACs

Диоды - выпрямители - массивы

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды - выпрямители - одиночные

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диодные мосты - Модули

Высокочастотные диоды

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Диоды выпрямительные - Сборки

Биполярные транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Симисторы

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды силовые

Транзисторы - IGBT - одиночные

IGBT транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - Специального назначения

Варикапы и Варакторы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды - мостовые выпрямители

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали