Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3
;
SIDR392DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIDR392DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 582.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR392DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение РДС(ON): 30В
    • Размер тока: 82А (в режиме импульсного включения) / 100А (в режиме непрерывного включения)
    • Форм-фактор: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления электрическими моторами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Портативные устройства
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR392DP-T1-GE3

Техническая документация

SIDR392DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5763 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    582 ₽
  • 10
    414 ₽
  • 100
    288 ₽
  • 500
    249 ₽
  • 3000
    203 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIDR392DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 582.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR392DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK

  • Основные параметры:
    • Напряжение РДС(ON): 30В
    • Размер тока: 82А (в режиме импульсного включения) / 100А (в режиме непрерывного включения)
    • Форм-фактор: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах питания
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления электрическими моторами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Портативные устройства
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR392DP-T1-GE3

Техническая документация

SIDR392DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории