Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SIDR570EP-T1-RE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIDR570EP-T1-RE3

SIDR570EP-T1-RE3

SIDR570EP-T1-RE3
;
SIDR570EP-T1-RE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIDR570EP-T1-RE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEВсе характеристики

Минимальная цена SIDR570EP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 655.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR570EP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR570EP-T1-RE3

Маркировка SIDR570EP-T1-RE3:

  • Производитель: Vishay Siliconix
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Напряжение дренажа: 150 В
  • Температурный класс: 175°C

Основные параметры:

  • Ток дренажа: 60 А
  • Электрический отклик: 100 мс
  • Угол смещения: 8°

Плюсы:

  • Высокая надежность при высоких температурах
  • Высокий ток дренажа
  • Малый электрический отклик

Минусы:

  • Высокое напряжение дренажа ограничивает область применения
  • Требует дополнительных компонентов для работы при низких напряжениях

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • Интеграция в конвертеры напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Бытовая техника
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR570EP-T1-RE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.9mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3740 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    7.5W (Ta), 150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8DC
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SIDR570EP-T1-RE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5090 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    655 ₽
  • 10
    480 ₽
  • 100
    342 ₽
  • 500
    307 ₽
  • 1000
    278 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    SIDR570EP-T1-RE3
  • Описание:
    N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEВсе характеристики

Минимальная цена SIDR570EP-T1-RE3 при покупке от 1 шт 655.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR570EP-T1-RE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR570EP-T1-RE3

Маркировка SIDR570EP-T1-RE3:

  • Производитель: Vishay Siliconix
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Напряжение дренажа: 150 В
  • Температурный класс: 175°C

Основные параметры:

  • Ток дренажа: 60 А
  • Электрический отклик: 100 мс
  • Угол смещения: 8°

Плюсы:

  • Высокая надежность при высоких температурах
  • Высокий ток дренажа
  • Малый электрический отклик

Минусы:

  • Высокое напряжение дренажа ограничивает область применения
  • Требует дополнительных компонентов для работы при низких напряжениях

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в системах управления двигателей
  • Интеграция в конвертеры напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Бытовая техника
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR570EP-T1-RE3

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.9mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    71 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3740 pF @ 75 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    7.5W (Ta), 150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8DC
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8

Техническая документация

 SIDR570EP-T1-RE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AON7422GMOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN
    136Кешбэк 20 баллов
    AOSP32368MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
    153Кешбэк 22 балла
    AON6314MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
    149Кешбэк 22 балла
    AONS21357MOSFET P-CH 30V 21A/36A 8DFN
    132Кешбэк 19 баллов
    AON6226MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
    168Кешбэк 25 баллов
    AONS32304MOSFET N-CH 30V 40A/140A 8DFN
    153Кешбэк 22 балла
    AO4262EMOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO
    147Кешбэк 22 балла
    AOD2610EMOSFET N-CH 60V 46A TO252
    76Кешбэк 11 баллов
    AO4290AMOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    AON6366EMOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN
    197Кешбэк 29 баллов
    AOSP21321MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    52Кешбэк 7 баллов
    AON6312Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
    170Кешбэк 25 баллов
    AOI296AMOSFET N-CH 100V 70A TO251A
    175Кешбэк 26 баллов
    AOSS62934MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    AO4292EMOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
    167Кешбэк 25 баллов
    AO4264EMOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    AOL1454GMOSFET N-CH 40V 25A/46A ULTRASO8
    153Кешбэк 22 балла
    AOTF292LMOSFET N-CH 100V 70A TO220F
    623Кешбэк 93 балла
    AON6144MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN
    133Кешбэк 19 баллов
    AOB66616LMOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
    191Кешбэк 28 баллов
    AON6276MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
    283Кешбэк 42 балла
    AON7230MOSFET N-CHANNEL 100V 47A 8DFN
    179Кешбэк 26 баллов
    AON6380MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN
    153Кешбэк 22 балла
    AO4268MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC
    150Кешбэк 22 балла
    AOB2904MOSFET N-CH 100V 120A TO263
    283Кешбэк 42 балла
    AON7262EMOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
    137Кешбэк 20 баллов
    AOT66616LMOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
    314Кешбэк 47 баллов
    AOB190A60LMOSFET N-CH 600V 20A TO263
    517Кешбэк 77 баллов
    C3M0120100JSICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
    2 243Кешбэк 336 баллов
    C3M0040120D1200V 40MOHM SIC MOSFET
    3 106Кешбэк 465 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП