Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3
;
SIDR610DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIDR610DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 824.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR610DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 200В 8,9А/39,6А PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг по напряжению: 200В
    • Рейтинг по току: 8,9А (непрерывный) / 39,6А (пульсирующий)
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету PPAK
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Необходимо обеспечить надлежащее охлаждение для предотвращения перегрева
    • Могут быть ограничения по максимальной частоте работы
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях мощности
    • Используется в системах управления двигателей
    • Могут применяться в бытовой технике и промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR610DP-T1-GE3

Техническая документация

SIDR610DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 5796 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    824 ₽
  • 10
    552 ₽
  • 100
    424 ₽
  • 500
    398 ₽
  • 1000
    369 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIDR610DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 824.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR610DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 200В 8,9А/39,6А PPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг по напряжению: 200В
    • Рейтинг по току: 8,9А (непрерывный) / 39,6А (пульсирующий)
    • Пакет: PPAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету PPAK
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкое энергопотребление
  • Минусы:
    • Необходимо обеспечить надлежащее охлаждение для предотвращения перегрева
    • Могут быть ограничения по максимальной частоте работы
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управления током
    • Применяется в источниках питания, преобразователях мощности
    • Используется в системах управления двигателей
    • Могут применяться в бытовой технике и промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR610DP-T1-GE3

Техническая документация

SIDR610DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории