SIDR610DP-T1-RE3

Маркировка SIDR610DP-T1-RE3, производитель Vishay Siliconix, описание N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

• Основные параметры:
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рейтинг напряжения D-S: 200 В
  • Рейтинг тока D-S: 6.5 А
  • Резистивность R_DS(on): 0.4 Ω при 25°C
  • Максимальная частота работы: до 2 МГц
• Плюсы:
  • Низкая резистивность R_DS(on), что обеспечивает минимальное энергетическое затраты при работе
  • Высокая скорость переключения благодаря низкой емкости
  • Устойчивость к статическому электричеству (ESD)
  • Малый размер и легкий вес
• Минусы:
  • Возможное увеличение температуры при высоких нагрузках без эффективного охлаждения
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения
• Общее назначение:
  • Применяется в различных приборах и устройствах, требующих управления током с высокой скоростью переключения
  • Используется в системах питания, преобразователях напряжения, инверторах и других приборах, где требуется высокая эффективность и быстродействие
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильных системах питания и управления двигателем
  • Инверторах для бытовых приборов
  • Преобразователях напряжения для компьютеров и серверов
  • Электронных системах управления силовыми установками