Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3
;
SIDR680DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIDR680DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 587.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR680DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Максимальный ток при VDS = 25°C (ID(on)): 32.8А
    • Максимальный ток при VDS = 100°C (ID(max)): 100А
    • Пакет: PPAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Высокий коэффициент передачи (VGS(th))
    • Низкое сопротивление при прохождении тока (RD(on))
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Устойчивость к электрическому шуму
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Применяется в источниках питания
    • Используется в инверторах и преобразователях
    • Составляющая часть блоков управления мощностью
    • В трансформаторах
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR680DP-T1-GE3

Техническая документация

SIDR680DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 18263 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    587 ₽
  • 10
    433 ₽
  • 100
    302 ₽
  • 500
    264 ₽
  • 3000
    216 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIDR680DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 587.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIDR680DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Максимальный ток при VDS = 25°C (ID(on)): 32.8А
    • Максимальный ток при VDS = 100°C (ID(max)): 100А
    • Пакет: PPAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Высокий коэффициент передачи (VGS(th))
    • Низкое сопротивление при прохождении тока (RD(on))
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Устойчивость к электрическому шуму
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Применяется в источниках питания
    • Используется в инверторах и преобразователях
    • Составляющая часть блоков управления мощностью
    • В трансформаторах
Выбрано: Показать

Характеристики SIDR680DP-T1-GE3

Техническая документация

SIDR680DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории