SIDR870ADP-T1-GE3

Представление:

• SIDR870ADP-T1-GE3 — это ненавесной MOSFET с транзистором N-канала, разработанный компанией Vishay Siliconix.

Основные параметры:

• Номинальное напряжение блокировки (V_DS(ON)): 100В
• Номинальная токовая способность (I_D): 95А
• Форм-фактор: PPAK SO-8DC

Плюсы:

• Высокая мощность: способность обрабатывать большие токи.
• Низкое напряжение включенного состояния: уменьшает потери энергии.
• Малый размер: компактный форм-фактор для установки в ограниченном пространстве.
• Стабильность работы: надежность и стабильность при различных условиях эксплуатации.

Минусы:

• Высокие потери при работе: могут быть значительны при высоких температурах или частотах.
• Требуется правильная термическая проекция: важно обеспечить эффективное охлаждение.

Общее назначение:

• Регуляторы напряжения: использование в различных типах регуляторов напряжения.
• Инверторы: применение в преобразователях напряжения и частоты.
• Изоляционные преобразователи: использование в изоляционных системах питания.
• Буст-конвертеры: применение в конвертерах для увеличения напряжения.

Применение:

• Автомобильная электроника: использование в системах питания автомобилей.
• Питание серверных систем: применение в блоках питания серверных систем.
• Промышленное оборудование: использование в различных промышленных устройствах.